بررسي تغييرات ساختاري و خواص اپتيكي نانو ساختارهاي InGaNAs تحت تاثير عمليات حرارتي

اولين همايش دانشجويي فناوري نانو - دانشگاه تربيت مدرس

30 الي 2 بهمن 1385، تهران - ايران

نوع ارائه: سخنراني
چكيده:

نيمرساناي InGaNAs يك ماده مناسب براي كاربردهاي اپتو الكترونيكي بويژه قطعات اپتيكي و ليزرهاي با طول موج بلند در محدوده 1300 nm مي باشد كه قابليت رشد آن مخصوصاً روي زير لايه GaAs از ويژگيهاي ممتاز اين ماده است. استفاده از نانو ساختارهاي اين ماده بويژه ساختار چاه كوانتومي آن بدليل ايجاد اثر محدوديت كوانتومي حاملها و در نتيجه افزايش همپوشاني توابع موج الكترون و حفره باعث افزايش قابل ملاحظه راندمان اپتيكي آن مي گردد كه در كاربردهاي اپتوالكترونيكي از اهميت خاصي برخوردار است. با افزودن مقدار كمي نيتروژن و InGaNAs انرژي گسيلي به مقدار قابل ملاحظه اي به سمت انرژيهاي كمتر جابجا مي شود. حضور نيتروژن افزوده شده به تركيب باعث افزايش مراكز باز تركيب غير تابشي در نمونه از طريق ايجاد نواقص شبكه اي مي گردد، كه اين امر موجب كاهش خواص اپتيكي InGaNAs مي شود و در نتيجه استفاده از گسيلنده هاي نوري ناحيه IR كه بويژه در سيستمهاي مخابراتي و فيبر نوري بكار مي روند را محدود مي سازد.

كلمات كليدي: